ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ТЕСТИРОВАНИЯ МЕТОДОМ КОРРЕКЦИИ ЗНАНИЙ

Статья опубликована в рамках: Международной научно-практической интернет-конференции «Актуальные проблемы методики обучения информатике в современной школе» (Россия, г.Москва, МПГУ,16 — 17 февраля 2016г.)

ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ТЕСТИРОВАНИЯ МЕТОДОМ КОРРЕКЦИИ ЗНАНИЙ

Бахтибаева Салтанат Абдухаировна

Международный казахско-турецкий
университет имени А.Ясави, докторант PhD

Казахстан, г. Туркестан
e-mail: sbahtibaeva@mail.ru

Научный руководитель:
д.пед.н., проф. В.В. Гриншкун,  
д.физ.-мат.н. Т.А.Тўрмамбеков,
д.пед.н., проф. К.М. Беркимбаев

 

Для того чтобы студент понимал основные физические законы, явления и умел свободно применять их при решении практических задач, необходим компетентный подход к организации контроля, диагностики и коррекции за освоением учебного знания. Тестирование это один из методов контроля знаний. Основными функциями тестирования являются:

  • диагностическая;
  • обучающаяся;
  • воспитательная.

Диагностическая функция определяет уровень знаний, умений и навыков обучающихся. Обучающаяся функция мотивирует учащихся к более активной работе по усвоению учебного материала, развивает мышление обучающихся. Воспитательная функция, проявляясь в периодичности и неизбежности, позволяет  дисциплинировать, систематизировать и направлять деятельность обучаемых, помогает устранить пробелы в знаниях.

Нами разработана модель электронного тестирования на тему донорные и акцепторные полупроводники [1], в ходе которого осуществляется итоговый контроль знаний по некоторым разделам физики полупроводников. На занятиях были использованы компьютерные тестирующие программы, в процессе которых обучающимся выводились разъяснения его ответов. Основой компьютерного тестирования являются вопросы с выбором одного правильного ответа из   4-х вариантов ответа. В процессе тестирования, обучающемуся выводятся разъяснения его ответов, т.е. в этом методе контроля знаний определенно проявляется выполнение функций тестирования: обучающей и контролирующей. Примеры таких тестов приведены ниже.

Вопрос: Каково расположение на шкале энергии донорного уровня полупроводника?

А. Вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.

Верно. Поскольку энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости много меньше, чем энергия перехода валентного электрона в зону проводимости, и такой переход требует затрат энергии, то на шкале энергии донорный уровень расположен вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.

В. Вблизи зоны проводимости в зоне проводимости.

Не верно. Поскольку в этом случае необходимая энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости, окажется почти равной нулю. В таком случае переход электрона с донорского уровня в зону проводимости не требует энергии, тогда полупроводник будет эквивалентен металлу-проводнику.

Верным будет утверждение: расположен слегка ниже нижненго края зоны проводимости в запрещенной зоне. Поскольку энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости много меньше, чем энергия перехода валентного электрона в зону проводимости, и такой переход требует затрат энергии, то на шкале энергии донорный уровень расположен вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.

С. Вблизи валентной зоны в запрещенной зоне.

Не верно. В Вашем ответе при расположении донорного уровня вблизи валентной зоны энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости окажется примерно равной энергии перехода валентного электрона в зону проводимости. В таком случае переход электрона с донорского уровня в зону проводимости при комнатной температуре окажется таким же маловероятным как и переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости много меньше, чем энергия перехода валентного электрона в зону проводимости, то на шкале энергии донорный уровень расположен вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.

  1. D. Вблизи валентной зоны в валентной зоне.

Не верно. В Вашем ответе при расположении донорного уровня в валентной зоне энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости окажется примерно равной энергии перехода валентного электрона в зону проводимости. В таком случае переход электрона с донорского уровня в зону проводимости при комнатной температуре окажется таким же маловероятным как и переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, что неверно.

Поскольку энергия перехода электрона с донорного уровня в зону проводимости много меньше, чем энергия перехода валентного электрона в зону проводимости, то на шкале энергии донорный уровень расположен вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.

 Вопрос: Каково расположение на шкале энергии уровня Ферми донорного полупроводника при температуре ниже комнатной?

А. Вблизи зоны проводимости в зоне проводимости.

Не верно. Так как тогда уровень Ферми окажется выше занятых уровней зоны проводимости, на которых расположены электроны, перешедшие в основном с донорных уровней, также он окажется выше и донорских уровней, с которых электроны перешли в зону проводимости. Уровень Ферми располагается между уровнями с которых ушло большее число электронов (донорные уровни,

расположенные в верхней части валентной зоны) и уронями, на которые они пришли (уровни, расположенные в зоне проводимости).

В. В средней части запрещенной зоны.

Не верно. Так как тогда уровень Ферми окажется ниже донорных уровней и уровней зоны проводимости. Также расположение уровня Фермаи в средней части валентной зоны приведет к примерному равенству концентраций электронов и дырок, нарушится условие, что электронов много больше, чем дырок. Уровень Ферми располагается между уровнями, с которых ушло большее число электронов (донорные уровни, расположенные в верхней части валентной зоны) и уровнями, на которые они пришли (уровни, расположенные в зоне проводимости).

С. Вблизи валентной зоны в запрещенной зоне.

Не верно. Так как тогда уровень Ферми окажется ниже донорных уровней и уровней зоны проводимости. Уровень Ферми располагается между уровнями с которых ушло большее число электронов (донорные уровни, расположенные в верхней части валентной зоны) и уровнями, на которые они пришли (уровни, расположенные в зоне проводимости).

  1. D. В верхней части запрещенной зоны.

Верно. Уровень Ферми располагается между уровнями с которых ушло большее число электронов (донорные уровни, расположенные в верхней части валентной зоны) и уровнями, на которые они пришли (уровни, расположенные в зоне проводимости).

При выполнении такого вида задания студенту дается возможность проанализировать выбранный ответ. Данный метод тестирования требует от преподавателя детального отбора заданий, что способствует созданию хороших тестовых вопросов, которые должны отвечать разнообразным требованиям: краткость, технологичность, правильность формулировки и содержания, логичность. Предлагаемый метод тестирования позволяет:

  • определить уровень знаний;
  • обеспечить объективность оценки качества усвоенного материала;
  • определить динамики освоения дисциплины;
  • корректировать учебный процесс;
  • способствовать глубокому освоению теоретических знаний, выявлению логических связей между    понятиями, определениями, законами.

Таким образом, такой метод тестирования по физике выполняет важные  функции тестового контроля, он обуславливает создание профессионально-составленных тестовых вопросов, обеспечивает преподавателей информацией об уровне знаний студентов, способствует развитию у студентов умения делать выводы и обосновывать их.

ЛИТЕРАТУРА

  1. Шалимова К.В. Физика полупроводников// М., Энергоатомиздат. 1985г. -392с.

Отправить ответ

Уведомить о
avatar
Sort by:   newest | oldest | most voted
Т.Б. Захарова

Уважаемая Салтанат Абдухаировна! Действительно, всё большее признание получает тестирование как метод контроля результатов обучения. Современные системы тестирования (компьютерные тесты) имеют много преимуществ, которые, безусловно, надо использовать в образовательном процессе

М.Г. Победоносцева

Уважаемая Салтанат Абдухаировна, скажите, пожалуйста, на каком этапе прохождения теста выводятся разъяснения и имеют ли обучающиеся возможность повторного прохождения тестирования или для них готовится новый тест?

wpDiscuz